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KRi 射频离子源应用于红外截止滤光片 IRCF 工艺
KRi 射频离子源应用于红外截止滤光片 IRCF 工艺上海伯东某客户为精密光学镀膜产品生产商, 生产过程中需在白玻璃上进行镀膜. 由于国产镀膜设备在射频和光控性能方面的限制, 镀制过程易出现温漂现象
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红外截止滤光片
红外截止滤光片因为普通光源传播的光频域比较宽,超出可见光的光谱,许多视觉和探测方面的应用都要求滤光片设计成只允许可见光通过。例如:单色照相机经常用红外截止滤光片来消除对探测器有影响的近红外光。找不到
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KRi 大尺寸射频离子源树脂镜片高性能 AR 工艺
KRi 大尺寸射频离子源树脂镜片高性能 AR 工艺树脂为手机行业目前最常用的镜片基材, 为了减少镜片反射, 提升透过率, 会在镜片表面镀 AR 增透膜 (减反膜), 它是一种硬质耐热氧化膜, 可在
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KRi 射频离子源应用于车载摄像头镜片镀膜工艺
KRi 射频离子源应用于车载摄像头镜片镀膜工艺, 实现车载镜头减反, 塑胶镜片增透车载镜头的镀膜非常重要, 镀膜的核心用途就是增加透光率. 先进的镀膜技术可以最大限度地减少反光, 通过减少光在折射
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美国 KRI 射频离子源 RFICP 380
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红外截止滤光片+ITO膜
红外截止滤光片+ITO膜 为了适应更多用户需求,激埃特2009年推出全新产品,研发出更能消除近红外线对CCD,COMS芯片的干扰,降低单反相机,数码相机在滤光片上的成本。克服了OLPF水晶片由于
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RazorEdge 拉曼截止滤光片
RazorEdge长波通拉曼截止滤光片Semrock储备了一批经过优选的性能截止滤光片,可用于拉曼光谱学应用。截止波长的范围从224nm到1319nm。凭借深度截止激光谱线,超宽和低杂散光的通光带
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KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 镀制红外器件 ZnS 薄膜
某半导体厂商为了提高红外器件 ZnS 薄膜厚度均匀性, 采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射沉积设备镀制红外器件 ZnS 薄膜, 并采用动态沉积的方法--样品台离心旋转
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KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 溅射沉积红外器件介质膜
某红外半导体镀膜工业厂商采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 辅助溅射沉积红外器件介质膜, 以提高镀膜厚度的均匀性. 伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:离子源
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KRi 射频离子源 IBSD 离子束溅射沉积应用
一次气源为惰性气体, 二次气源为惰性或反应性气体基板远离溅射目标工艺压力在小于× 10-4 torr离子源在离子束溅射沉积工艺过程: 上海伯东美国 KRi 射频离子源优势提供致密, 光滑, 无针孔
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